MXene基复合薄膜制备与电磁屏蔽性能研究文献综述

 2023-04-22 03:04

文献综述

文 献 综 述1、前言随着5G网络通信技术中电子设备的快速发展,电磁(EM)污染已经成为一个值得关注的问题,因为它不仅会影响电子设备的正常运行,还有害于健康和生命的生存,特别是在当今电子对抗的环境下,电磁波的泄漏无疑会危及国家安全。

因此,对轻质、柔性的高性能电磁干扰屏蔽材料提出了更高的要求。

金属作为传统的屏蔽材料,具有优异的导电性。

然而,金属材料的密度大、体积大、耐腐蚀性差等特点使其无法满足下一代便携式、可穿戴智能电子系统的发展要求。

值得注意的是,碳基材料[如碳纳米纤维、碳纳米管(CNTs)、石墨烯和还原氧化石墨烯]因其密度低、加工性能好、导电性高、抗电磁干扰能力强等特点,被广泛用作轻质电磁屏蔽复合材料的导电填料。

优良的耐腐蚀性,优异的机械性能,更重要的是,优良的导电性已被证明是决定屏蔽材料反射率和吸收能力的主要因素。

此外,导电复合材料的厚度对电磁干扰屏蔽有很大的影响,因此如何在理想的厚度下实现卓越的电磁干扰屏蔽效率仍然是一个重大的挑战。

MXene是一种新型的二维(2D)过渡金属碳化物和/或氮化物,其中M是一个早期的过渡金属如Sc、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf或Ta, A是A族元素(主要是13或14a族,如Cd、Al、Si、P、S、Ga、Ge、as、In、Sn、Tl、Pb或S), X是碳和/或氮。

对MAX中的A元素进行选择性刻蚀,得到二维层状Mn 1XnTx (n=1,2,3),命名为MXene,以突出其与石墨烯的结构相似性,MXene具有出色的金属导电性。

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