文献综述
本课题研究的现状及发展趋势：
绝缘栅双极晶体管（简称IGBT）是一种新型功率半导体器件，它将双极型功率晶体管和功率MOSFET的特点融于一身，具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、工作频率高等特点。
由于设备及工艺水平等因素的影响，国内IGBT还处于研制阶段。1997年，西安电力电子技术研究所研制出1050V／20A的PT—IGBT样品，并对少子寿命控制技术进行了较深人的研究。2000年，电子科技大学微电子所研制出1200V／2 0A SDB—I GBT的样品。2001年，北京工业大学对NPT—I GBT进行了深入研究。该项研究是把 N 扩散层做缓冲层加入NPT—IGBT结构中，背 P 集电区是采用硼离子注入形成的浓度不高，浅结 (约 5txm)的透明集电极，这与国外NPT技术相同。并对新结构IGBT进行了仿真。2004年，西安交通大学对 NPT—Tr e nch—I GBT工艺进行了创新性研究。该项研究是采用全自对准槽栅工艺，大规模集成电路的LDD工艺，只用2块掩模完成器件制作，该技术已申请国家发明。中国电子科技集团公司47所 、24所也进行了深入的研究。
我国对IGBT的研究始于上世纪 90 年代初，研究单位多数是大学。目前，国内还没有商品化的IGBT投入市场，研制开发工作比较漫长。随着市场对功率器件在体积、重量、容量和噪音等方面的更高要求，IGBT因其自身的优越性而逐渐成为新一代半导体功率器件的核心。
本课题研究的意义和价值：
近年来，随着我国经济的持续快速发展，能源消耗日趋紧张，节约能源是我国的基本国策。当前，电动机驱动系统已经从强电控制进人弱电控制的节能时代，新型电力电子器件在该系统中扮演着重要的角色。IGBT作为新型电力电子器件的代表，是整机系统提高性能指标和节能指标的首选产品。它集高频率、高电压、大电流等优点于一身，是国际上公认的电力电子技术第三次革命的最具代表性的产品。
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